ジェイテックコーポレーションのプラズマCVM技術
プラズマCVM（プラズマ化学的気相加工法）
Plasma Chemical Vaporization Machining（PCVM）
ジェイテックコーポレーションは、プラズマCVM（プラズマ化学的気相加工法）
Plasma Chemical Vaporization Machining（PCVM）技術を駆使し、半導体・水晶ウェハの平坦化加工において革新的なソリューションを提供しています。プラズマCVMは、ナノレベルの加工精度と、加工変質層を生じさせない（加工物表面にダメージを与えない）という優れた特徴を持つ技術です。
当社のプラズマCVMの強み
POINT
数値制御技術
ナノレベルの加工精度
高精度な平坦化加工、
厚みバラつきの低減
POINT
原子単位加工
加工変質層が生じない
（ダメージレス）
品質向上、電気特性への寄与
POINT
化学的反応
様々なウェハに対応
水晶（SiO2）、シリコン（Si）、
SOI、GaNなど
プラズマCVMの優位性
プラズマCVMは、機械的作用による除去を行うCMPやイオンビーム加工とは一線を画す、化学反応のみを加工原理に持つ独自の技術です。CMPでは達成できない高精度な平坦化を実現し、イオンビーム加工のようなダメージを与える心配もありません。プラズマCVMは次工程によっては加工後の洗浄が不要になるため、工程の簡素化・コストダウンにも貢献します。
ウェハ性能の向上
CMP後のウェハの
更なる平坦化を実現します
ウェハ品質の向上
加工変質層の心配がなく
高品質な加工面を提供します
ウェハ製造コスト削減
工程の簡素化による
コスト削減に貢献します
CMPとの相補関係
プラズマCVMは、CMPで研磨したウェハの更なる平坦性を大幅に改善します。
CMPと相補的に加工工程を組むことでこれまで以上の高品質なウェハが得られます。
CMPによる研磨
ウェハ表面を研磨し粗さを改善、高い研磨レート
プラズマCVMでより平坦化
数値制御加工によるウェハ平坦性の改善、CMPで生成された加工変質層を除去
環境への配慮
プラズマCVMは気相化学反応によるウェハ加工であり、排ガス処理は必要ですが廃液処理コストがかかる化学薬品は使用しません。
高品質・高性能なウェハをドライ環境で実現するソリューションです。
ご質問や詳細情報等のお問い合わせについては下記のボタンよりご連絡ください。
原子単位の加工を実現するプラズマCVMの原理
優れた加工能率
高圧プラズマによる高密度の中性ラジカルを用いた化学反応により、通常のプラズマエッチングよりも高い加工能率で加工し、生産性の向上に貢献します。
原子単位の高精度加工
プラズマCVMではプラズマを局所的に発生させることができ、空間分解能の高い加工が可能です。このため、数値制御加工と非常に相性がよく、原子単位の高精度加工によってウェハの優れた平坦化を実現しています。
ウェハ加工面の
ダメージレスを実現
化学的な反応による加工を特徴とするプラズマCVMでは、ウェハの加工面において加工変質層は生じません。このため、プラズマCVMで加工したウェハを使用した電子部品の高品質化・高性能化に寄与します。
プラズマCVM加工事例
水晶
前加工水晶ウェハ：市販の4 inch（100 mm)
測定範囲：直径100 mmの円内の領域
BEFORE
加工前厚み分布
TTV: 102 nm
AFTER
加工後厚み分布
TTV: 18 nm
SOI
前加工SOIウェハ：市販の8 inch（200 mm）
薄膜SOIウェハ（SOI層:100 nm、埋込酸化膜層:200 nm）
測定点:直径190 mm円内の領域、5.5 mm格子
BEFORE
加工前SOI層厚み
平均膜厚 97.5 nm
TTV: 9.4 nm
AFTER
加工後 SOI層厚み
平均膜厚 7.5 nm
TTV: 3 nm
水晶やSOIのTTVをナノレベルで制御し改善
TTV: Total Thickness Variation
ウェハの平坦度適用領域での厚さの最大値と最小値の差
プラズマCVM装置・システムの紹介
各種ウェハの更なる高品質化・高性能化を提案します
（開発・少量生産用標準タイプ）
（量産用全自動タイプ）
生産性向上
カセットからのウェハ取り出し、厚み測定、加工、データ保存まで、すべて自動化。人手をかけずに、効率的な生産が可能
コスト削減
コンパクトな設計でHeガス使用量を最小限に抑え、ランニングコストを大幅削減。環境にも優しいシステム
安心のトレーサビリティ
加工前後の厚みデータはすべてシステムに保存
品質管理も万全
プラズマCVM製品の特長
■JC100
スタンドアローンタイプ
（開発・少量生産用標準タイプ）
・スタンドアローンタイプ
・自社でプラズマCVMの独自検討をご希望されるお客様に最適
・ロードロックチャンバーにより加工サンプルの交換時間を短縮し効率的に連続加工することが可能
・厚み測定装置が付属
■JC2000
システムタイプ
（量産用全自動タイプ）
・加工部と測定部を備え、測定データから加工量を計算し、加工を行う自動システム
・量産加工向けに装置構成
・システム内でのウェハ搬送は搬送ロボットにて実施
・複数の加工チャンバー（JC2000では2式）とすることでハイスループットを実現
設備導入までのステップ
STEP
お問い合わせ
プラズマCVM技術、
装置に関する質問等受付
STEP
技術紹介
希望に合わせて、
訪問・Web会議
STEP
サンプル試作・評価
テスト加工を随時受付
STEP
概算見積・
装置詳細仕様等提案
お客様のニーズに合わせた
最適なシステムをご提案
プラズマCVM装置は、加工を行うプロセスチャンバーやロードロックチャバー、厚み測定ユニット等で構成されています。
加工能力の向上やタクトタイムの短縮をお求めのお客様へ、当社にて最適な装置構成をご提案することが可能です。
高品質・高性能ウェハを効率的、低コストで生産したいとのご要望をお持ちのお客様は、下記のお問い合せボタンからご要望をお聞かせください。
プラズマCVM 装置本体構成例
プラズマCVM装置一般仕様
| プラズマCVM（プラズマ化学的気相加工法） Plasma Chemical Vaporization Machining |
JC100（プラズマCVM加工装置） | JC2000（プラズマCVM自動加工システム） | |
|---|---|---|---|
| 基本構成 | プロセスチャンバー | 1チャンバー構成、プラズマ電極装備 | 2チャンバー構成、プラズマ電極装備 |
| ロードロックチャンバー | 1チャンバー構成 | 2チャンバー構成 | |
| 真空度 | 到達真空度10Pa | ||
| 使用ガス種 | プロセス用 He ／ SF6、パージ用 N2 | ||
| プラズマ電源 | 13.56 MHz ／最大300 W | ||
| コントロールユニット | PLC 制御（一部 PC 制御） | ||
| 厚み測定ユニット | 分光干渉方式（ウェハ厚み20～100 µmに対応） | ||
| 周辺システム （オプション） |
トレイステージ | － | 最大4 inchサイズ用トレイ多段装填 |
| 搬送ロボット | － | 4軸（ X 軸、Y 軸、Z 軸、θ軸）ロボット | |
| 外形寸法 | W2000 mm × D750 mm × H1600 mm | W2000 mm × D3700 mm × H2200 mm（２チャンバー構成） | |
| 重 量 | 約1000 kg | 約2500 kg（２チャンバー構成） | |
| ユーティリティ | 電 源 | ３相AC200V・30 A×1系統 | 3相AC200V・30 A×２系統、単相AC100V・15 A |
| 計装エアー | 0.4～0.6 MPa | ||
※ウェハサイズについてはご相談ください。
会社概要
| 会社名【商号】 | 株式会社ジェイテックコーポレーション |
|---|---|
| 代表取締役社長 | 津村 尚史（つむら たかし） |
| 事業内容 | 放射光施設用X線ミラーの設計製作及び販売 自動細胞培養装置の開発設計製作及び販売 各種自動化システムの開発設計製作及び販売 各種材質の表面加工における開発製造及び販売 再生医療に関する支援サービス |
| 資本金 | 837,948,000円（2024年6月30日時点：連結） |
| 設立 | 1993年12月21日 |
| 所在地 | 〒567-0086 大阪府茨木市彩都やまぶき2-5-38 |
| TEL . | 072-643-2292（代表） |
| TEL . | 072-655-2785（IRお問い合わせ） |
| FAX. | 072-643-2391 |