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JTEC Corporation 開發的等離子化學氣相加工技術Plasma Chemical Vaporisation Machining (Plasma CVM),為半導體和石英晶圓的平坦化加工提供了創新的解決方案。Plasma CVM技術具有奈米級加工精度、不會產生加工變質層(不損害工件表面)等優異特性。
特長
高精度的平坦化加工、
減少厚度偏差
特長
有助於改善品質和電氣特性
特長
二氧化矽 (SiO2)、矽 (Si)、
SOI、氮化鎵(GaN )等
Plasma CVM是一種獨特的技術,其加工原理僅使用化學反應,有別於以機械作用去除的 CMP 和離子束加工。它可以達到 CMP 無法達到的高精度平坦化,而且不會受到如離子束加工造成的損壞。Plasma CVM可視下個製程需求選擇省略清洗步驟,有助於簡化製程和降低成本。
改善CMP 研磨後晶圓的平面度
提供高品質的製程表面,無加工變質層的風險
簡化製程,有助於降低成本
Plasma CVM可顯著改善 CMP 研磨後晶圓的平面度。
以與 CMP 互補的方式結合製程,可以製造出更高品質的晶圓。
如有問題或需要更多資訊,請點擊以下按鈕與我們聯絡。
利用高壓電漿產生的高密度中性自由基進行化學反應,使加工具有比傳統電漿蝕刻更高的加工效率,有助於提高生產效率。
Plasma CVM可以在局部產生電漿,實現高空間解析度的加工。 這使其成為數控加工的絕佳搭配,並透過原子級精密加工實現出色的晶圓平面度。
Plasma CVM的特點是透過化學反應進行加工,不會在晶圓表面產生加工變質層。 使用Plasma CVM加工晶圓的電子元件的品質和性能能有所提高。
預處理的石英晶圓:市售 4 inch(100mm)
量測範圍:直徑 100 公釐圓形範圍內的區域
加工前的厚度分佈
TTV: 102 nm
加工後的厚度分佈
TTV: 18 nm
預處理的 SOI 晶圓:市售 8 inch(200mm)
薄膜SOI 晶圓 (SOI 層:100 nm,內嵌氧化層:200 nm)
量測點:直徑 190 mm 圓圈內的區域,5.5 mm 網格
加工前的SOI 層厚度
平均膜厚 97.5 nm
TTV: 9.4 nm
加工後的SOI 層厚度
平均膜厚 7.5 nm
TTV: 3 nm
奈米級控制並改善石英和SOI的TTV 。
TTV:Total Thickness Variation總厚度差異
晶圓平面度應用區域內最大厚度與最小厚度之間的差異。
改善各種晶圓的品質與效能的新提案。
從晶圓盒取出晶圓、厚度測量、加工到資料儲存,全部自動化。 無需手動操作即可實現高效生產。
小型設計可將氦氣的耗氣量降至最低,並大幅降低運行成本。 同時也是相當環保的加工系統。
加工前後的所有厚度數據都儲存在系統中。 品質管理也有所保證。
・單機型
・非常適合想在公司內使用Plasma CVM技術獨自進行研究開發的客戶
・負載鎖定腔可透過縮短加工樣品交換的時間來實現高效的連續加工
・隨附厚度測量裝置
・配備加工部和測量部,根據測量數據計算加工量並進行加工的自動系統
・此系統裝置適用於量產加工
・透過機器手臂進行系統內的晶圓輸送
・多個加工室(JC2000 有2個)可實現高產能。
步驟
Plasma CVM技術、
及設備相關等問題討論
步驟
依需求安排面談或網路會議
步驟
隨時接受測試加工的委託
步驟
Plasma CVM設備由加工用的加工室和負載鎖定腔,以及厚度測量裝置等組成。
我們能為希望提高加工能力和縮短生產時間的客戶提供最佳的設備配置。
希望高效率、低成本生產高品質、高性能晶圓的客戶,請點選下方的洽詢按鈕,提出您的需求。
等離子化學氣相加工 (Plasma CVM) Plasma Chemical Vaporization Machining |
JC100(Plasma CVM設備) | JC2000(Plasma CVM系統) | |
---|---|---|---|
基本配置 | 加工室 | 單腔配置,配備電漿電極 | 雙腔配置,配備電漿電極 |
負載鎖定腔 | 單腔配置 | 雙腔配置 | |
真空度 | 可達真空 10 Pa | ||
使用氣體類型 | 製程用 He / SF6,吹掃用 N2 | ||
等離子電源 | 13.56 MHz /最大300 W | ||
控制裝置 | PLC 控制(部分由 PC 控制) | ||
厚度測量裝置 | 光譜干涉儀 (適用晶圓厚度 20~100 µm) | ||
週邊系統 (選購) |
托盤平台 | - | 托盤的多段式裝載,最大尺寸可達 4 inch |
傳送機器手臂 | - | 4 軸(X、Y、Z 和 θ 軸)機器手臂 | |
尺 寸 | W2000 mm × D750 mm × H1600 mm | W2000 mm × D3700 mm × H2200 mm(雙腔配置) | |
重 量 | 約1000 kg | 約2500 kg(雙腔配置) | |
設備環境需求 | 電 源 | 3相AC200V・30 A×1系統 | 3相AC200V・30 A×2系統、單相AC100V・15 A |
壓縮空氣 | 0.4~0.6 MPa |
※有關晶圓尺寸,請與我們連絡討論。
公司名稱 | JTEC Corporation |
---|---|
董事長 | 津村 尚史 |
產品與服務 | 同步輻射設施 X 射線反射鏡的設計、製造和銷售。 自動化細胞培養系統的開發、設計、製造和銷售。 各種自動化系統的開發、設計、製造及銷售。 各種材料表面加工的開發、製造與銷售。 再生醫學的支援服務。 |
資本額 | 837,948,000日圓 (截至 2023 年 12 月 31 日:合併) |
成立日期 | 1993 年 12 月 21 日 |
公司地址 | 2-5-38, Saito Yamabuki, Ibaraki, Osaka 567-0086, Japan |
電話 | 072-643-2292(代表號) |
電話 | 072-655-2785(投資人諮詢專線) |
傳真 | 072-643-2391 |
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