- Device Developement
触媒表面基準エッチング法CARE（CAtalyst Referred Etching）
CARE(CAtalyst Referred Etching)加工は、金属触媒作用を利用した純水のみを用いる原子単位の高度な加工法で、0.1nm以下の表面粗さ（RMS）を実現しています。CMP*等の表面加工後の最終仕上げ加工として用いられ、SAWデバイス用のLT/LNウェハの鏡面仕上げによる性能向上や接合デバイスのベース基板の鏡面化による接合の信頼性向上等に適用されています。また当社高精度ミラーを実現するナノ加工技術の一つでもあります。
*CMP：CMP研磨法（Chemical Mechanical Polishing）研磨材の入った薬品とパッドで機械的にウェハの表面を磨く研磨法
- 加工対象物
- SiO2, Si, ニオブ酸リチウム (LN), タンタル酸リチウム(LT)等
- 適用例
- SAWデバイス用LN基板の表面仕上げ（Sa＜0.1 nm）
- ウェハ、接合（Si,SiO2等）における接合面の表面仕上げ
- クリーン化による接合信頼性向上
CA1000
加工部
動画
加工フローと原理
■特長
・金属の触媒反応を利用した原子スケールの化学エッチングで平坦化を実現
・薬液、スラリーは全く使わず、純水のみで低環境負荷加工
・CMP等の研磨加工後の最終仕上げとして「原子オーダーの表面」「加工変質層、改質層のない表面」を「クリーン」に創成
■代表的適用例
・SAWデバイス用LN基板の表面仕上げ（Sa＜0.1 nm）
・接合デバイスの接合前ウェハの表面仕上げ
加工例
原子レベルで滑らかな表面研磨法が求められる半導体材料に最適