- Device Developement
触媒表面基準エッチング法CARE（CAtalyst Referred Etching）
CARE(CAtalyst Referred Etching)加工は、金属触媒作用を活かし、純水のみを用いて行う原子単位の高度な加工法で、0.1nm以下の表面粗さ（RMS）を達成しています。CMP（Chemical Mechanical Polishing）などの表面加工後の最終仕上げとして用いられ、 LN（LiNbO3）/ LT（LiTaO3）ウェハを使用して作られるSAWデバイスは、CARE加工により性能が向上します。また接合デバイスの基板をCARE加工することで、接合の信頼性を高めます。これは当社高精度X線ミラーを実現するナノ加工技術の一つでもあります。
- 加工対象物
- SiO2, Si, ニオブ酸リチウム（LiNbO3、LN）とタンタル酸リチウム（LiTaO3、LT）等
- 適用例
- SAWデバイス用LN基板の表面仕上げ（Sa ＜ 0.1 nm）
- ウェハ、接合（Si,SiO2等）における接合面の表面仕上げ
- クリーン化による接合信頼性向上
CA1000
加工部
動画
加工フローと原理
■特長
・金属の触媒反応を利用した原子スケールの化学エッチングで平坦化を実現
・薬液、スラリーは全く使わず、純水のみで低環境負荷加工
・CMP等の研磨加工後の最終仕上げとして「原子オーダーの表面」「加工変質層、改質層のない表面」を「クリーン」に創成
■代表的適用例
・SAWデバイス用LN基板の表面仕上げ（Sa ＜ 0.1 nm）
・接合デバイスの接合前ウェハの表面仕上げ
加工例
原子レベルで滑らかな表面研磨法が求められる半導体材料に最適