- Device Developement
電気化学機械研磨法Electro-Chemical Mechanical Polishing
ECMP(Electro-chemical Mechanical Polishing)加工は、SiCの研磨にフォーカスした加工法で、ラッピング／CMPの代替プロセスとして開発した技術です。陽極酸化を利用した研磨法ですが、電解液を使用せず、イオン導電性高分子パッドを用いることで薬液を用いない安全で低環境負荷のプロセスを実現。6 μm/Hrの加工レートが得られています。
- 加工対象物
- SiC
- 適用例
- SiCウェハの高速研磨（6µm/Hr以上）
- SiCウェハの表面仕上げ（Sa 0.5nm以下）
加工原理
電気化学機械研磨技術
加工フロー
ワーク表面の陽極酸化（軟質化）現象を利用
イオン導電性パッドを用いることにより、薬液が不要
■特長
・イオン導電性パッドを用いることにより、薬液を使用しない低環境負荷加工
・固体電解質によるワーク表面の陽極酸化（軟質化）現象を利用した高速・精密ポリッシング
・CMPに代わる研磨技術として「クリーン」で「高効率な研磨」を実現
■代表的適用例
・SiCウェハの高速研磨
・SiCウェハの表面仕上げ
加工事例 4H-N SiC サイズ：4 inch 加工面：Si面
Before ECMP Sa: 26.4 nm
After ECMP Sa: 0.38 nm
Polishing Rate :10.5 μm/Hr 以上
CMPに代わるSiCの高効率な研磨に最適
ECMPは立命館大学の独自技術です。