- Device Developement
半導体・水晶ウェハ平坦化の
新たな可能性 プラズマCVM （プラズマ化学的気相加工法）
プラズマCVM (Chemical Vaporization Machining) 加工は、数kPa～大気圧下でのプラズマを利用したドライエッチング技術です。高密度で反応性の高いラジカルを局所的に生成し、被加工物表面原子を化学的にエッチングさせる加工法です。ウェハの厚みばらつきに応じて局所的に加工量を制御できるため、従来加工法では不可能であった10 nm以下の厚みばらつき（TTV）の抑制が可能です。Siウェハや水晶ウェハの加工等に実用されています。また当社高精度ミラーを実現するナノ加工技術の一つでもあります。
加工対象物
SiO2（水晶）, Si, SiC
適用例
- ・水晶基板の厚み均一化（TTV<10 nm）
- ・SOIのSi層の薄膜均一化
ジェイテックコーポレーションの
プラズマCVM技術
プラズマCVM（プラズマ化学的気相加工法） Plasma Chemical Vaporization Machining（PCVM）
ジェイテックコーポレーションは、プラズマCVM（プラズマ化学的気相加工法）Plasma Chemical Vaporization Machining（PCVM）技術を駆使し、半導体・水晶ウェハの平坦化加工において革新的なソリューションを提供しています。プラズマCVMは、ナノレベルの加工精度と、加工変質層を生じさせない（加工物表面にダメージを与えない）という優れた特徴を持つ技術です。
当社のプラズマCVMの強み
POINT
数値制御技術
ナノレベルの加工精度
高精度な平坦化加工、
厚みバラつきの低減
POINT
原子単位加工
加工変質層が生じない
（ダメージレス）
品質向上、電気特性への寄与
POINT
化学的反応
様々なウェハに対応
水晶（SiO2）、シリコン（Si）、 SOI、GaNなど
プラズマCVMの優位性
プラズマCVMは、機械的作用による除去を行うCMPやイオンビーム加工とは一線を画す、化学反応のみを加工原理に持つ独自の技術です。
CMPでは達成できない高精度な平坦化を実現し、イオンビーム加工のようなダメージを与える心配もありません。
プラズマCVMは次工程によっては加工後の洗浄が不要になるため、工程の簡素化・コストダウンにも貢献します。
ウェハ性能の向上
CMP後のウェハの
更なる平坦化を実現します
ウェハ品質の向上
加工変質層の心配がなく
高品質な加工面を提供します
ウェハ製造コスト削減
工程の簡素化による
コスト削減に貢献します
CMPとの相補関係
プラズマCVMは、CMPで研磨したウェハの更なる平坦性を大幅に改善します。
CMPと相補的に加工工程を組むことでこれまで以上の高品質なウェハが得られます。
ウェハ表面を研磨し粗さを改善、高い研磨レート
より平坦化
数値制御加工によるウェハ平坦性の改善、
CMPで生成された加工変質層を除去
CMPとプラズマCVMの相補関係
環境への配慮
プラズマCVMは気相化学反応による
ウェハ加工であり、排ガス処理は必要ですが
廃液処理コストがかかる化学薬品は
使用しません。高品質・高性能なウェハを
ドライ環境で実現するソリューションです。
ご質問や詳細情報等のお問い合わせについては
下記のボタンよりご連絡ください。
原子単位の加工を実現するプラズマCVMの原理
優れた加工能率
高圧プラズマによる高密度の中性ラジカルを用いた化学反応により、通常のプラズマエッチングよりも高い加工能率で加工し、生産性の向上に貢献します。
原子単位の高精度加工
プラズマCVMではプラズマを局所的に発生させることができ、空間分解能の高い加工が可能です。このため、数値制御加工と非常に相性がよく、原子単位の高精度加工によってウェハの優れた平坦化を実現しています。
ウェハ加工面の
ダメージレスを実現
化学的な反応による加工を特徴とするプラズマCVMでは、ウェハの加工面において加工変質層は生じません。このため、プラズマCVMで加工したウェハを使用した電子部品の高品質化・高性能化に寄与します。
プラズマCVM加工事例
水晶
前加工水晶ウェハ：市販の4 inch（100 mm)
測定範囲：直径100 mmの円内の領域
加工前厚み分布
TTV: 102 nm
加工後厚み分布
TTV: 18 nm
SOI
前加工SOIウェハ：市販の8 inch（200 mm）
薄膜SOIウェハ（SOI層:100 nm、埋込酸化膜層:200 nm）
測定点:直径190 mm円内の領域、5.5 mm格子
加工前SOI層厚み
平均膜厚 97.5 nm
TTV: 9.4 nm
加工後 SOI層厚み
平均膜厚 7.5 nm
TTV: 3 nm
ナノレベルで制御し改善
TTV: Total Thickness Variation
ウェハの平坦度適用領域での厚さの最大値と最小値の差
プラズマCVM装置・
システムの紹介
各種ウェハの更なる高品質化・
高性能化を提案します
スタンドアローンタイプ
（開発・少量生産用標準タイプ）
システムタイプ
（量産用全自動タイプ）
生産性向上
カセットからのウェハ取り出し、厚み測定、加工、データ保存まで、すべて自動化。人手をかけずに、効率的な生産が可能
コスト削減
コンパクトな設計でHeガス使用量を最小限に抑え、ランニングコストを大幅削減。環境にも優しいシステム
安心のトレーサビリティ
加工前後の厚みデータはすべてシステムに保存
品質管理も万全
プラズマCVM製品の特長
JC100 スタンドアローンタイプ
（開発・少量生産用標準タイプ）
- スタンドアローンタイプ
- 自社でプラズマCVMの独自検討をご希望されるお客様に最適
- ロードロックチャンバーにより加工サンプルの交換時間を短縮し効率的に連続加工することが可能
- 厚み測定装置が付属
JC2000 システムタイプ
（量産用全自動タイプ）
- 加工部と測定部を備え、測定データから加工量を計算し、加工を行う自動システム
- 量産加工向けに装置構成
- システム内でのウェハ搬送は搬送ロボットにて実施
- 複数の加工チャンバー（JC2000では2式）とすることでハイスループットを実現
設備導入までのステップ
STEP 1
お問い合わせ
プラズマCVM技術、装置に関する質問等受付
STEP 2
技術紹介
希望に合わせて、訪問・Web会議
STEP 3
サンプル試作・評価
テスト加工を随時受付
STEP 4
概算見積・ 装置詳細仕様等提案
プラズマCVM 装置本体構成例
プラズマCVM装置一般仕様
| プラズマCVM （プラズマ化学的気相加工法） Plasma Chemical Vaporization Machining |
JC100 （プラズマCVM加工装置） |
JC2000 （プラズマCVM自動加工システム） |
|
|---|---|---|---|
| 基本構成 | プロセスチャンバー | 1チャンバー構成、プラズマ電極装備 | 2チャンバー構成、プラズマ電極装備 |
| ロードロックチャンバー | 1チャンバー構成、プラズマ電極装備 | 2チャンバー構成、プラズマ電極装備 | |
| ウェハサイズ | 最大4 inch（100 mm） | ||
| ウェハ搬送 | 手動 | 自動 | |
| プロセス条件 | 圧力 | 数kPa～大気圧 | |
| 使用ガス種 | プロセス用 He ／ SF6、パージ用 N2 | ||
| プラズマ電源 | 13.56 MHz ／最大300 W | ||
※ウェハサイズについてはご相談ください。
お客様のニーズに合わせた
最適なシステムをご提案
プラズマCVM装置は、加工を行うプロセスチャンバーやロードロックチャバー、厚み測定ユニット等で構成されています。
加工能力の向上やタクトタイムの短縮をお求めのお客様へ、当社にて最適な装置構成をご提案することが可能です。
高品質・高性能ウェハを効率的、低コストで生産したいとのご要望をお持ちのお客様は、下記のお問い合せボタンからご要望をお聞かせください。
