JTEC独自技術で
半導体分野へ参入。

プラズマCVMは、プラズマ化した反応性ガスによるドライエッチング技術の一つであり、ウェハ表面等を原子レベルで制御しながら加工します。数値制御と組み合わせることで石英基板全面の厚みばらつきを10 nm以下に抑えることが可能です。

PAPは、プラズマによるワーク／シールの表面改質を用いた独自の研磨技術であり、ダイヤモンド等の硬質材料の研磨に特化しています。従来の機械研磨と比べ、高研磨レートかつ損傷や欠陥の少ない面を実現します。

ECMPは、SiCの研磨にフォーカスした加工法であり、ラッピング／CMPの代替プロセスとして開発した技術です。イオン導電性高分子パッドを用いることで薬液を用いない安全で低環境負荷のプロセスを実現し、ダイヤモンド基板において6 µm/Hrの加工レートが得られています。

CAREは、金属触媒作用を利用した純水のみで原子レベルの表面仕上げを行う技術であり、0.1nm RMS以下の表面粗さを実現します。CMP加工後の最終仕上げとすることで、半導体ウェハの性能・信頼性を高めます。なお、CAREは当社の高精度X線ミラーの反射面の加工にも使用されています。